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PoC 電感器 3225 尺寸系列正式量產，賦能車載智能高速互聯
2025-03-15
       公司電感器POC 3225 系列的研發及量產準備，該產品于 2025 年 2 月正式投放市場，專為高級駕駛輔助系統（ADAS）及車載攝像頭網絡設計，以 3.2mm×2.5mm 的緊湊尺寸實現業內領先的寬頻帶性能與高可靠性，助力汽車線束輕量化與高速數據傳輸   POC 3225 系列采用創新的雙繞組結構設計，在 1MH
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喜報！音特電子被認定為專利試點企業。
2023-06-26
近日，經過專家評審、網上公示和復核等程序，正式認定上海音特電子有限公司為上海市松江區專利試點企業。 專利試點企業是指為推進企業專利工作，充分發揮專利制度在促進企業技術創新，增強企業核心競爭力中的作用，努力提升企業知識產權創造質量、保護效果、運用效益、管理水平的能力而立項的企業資質。 企業的知識產權戰略一定程度上展現出了企業的創新能力，而本次我司被認定為專利試點企業，無疑是對企業知識產權的布局與
新興基板市場以27%的復合年增長率從2022年的6360萬美元增長到2028年的2.64億美元
2023-06-24
         由于需要提高性能和成本限制，新的材料，平臺和設計在半導體行業不斷被研究。在過去的十年中，一些化合物半導體，如用于射頻(RF)的砷化鎵(GaAs)和用于電力電子的碳化硅(SiC)，已經成功地與硅競爭并進入大眾市場。 那么，哪個新興的半導體襯底將成為下一個游戲規則的改變者呢?在其最新報告“新興半導體襯底2023&
Rapidus CEO 2027年實現2nm單晶圓夢想
2023-06-24
Rapidus首席執行官小池辰吉(Atsuyoshi Koike)在布魯塞爾接受《電子時報》(EE Times)獨家采訪時表示，Rapidus將得到日本《芯片法案》(CHIPS Act)和IBM的推動，啟動日本唯一一家制造世界上最先進硅的半導體代工廠，僅比行業巨頭臺積電(TSMC)落后兩年。小池和他的100多人團隊正在接受一生一次的挑戰。 小池是芯片行業的資深人士，最近曾在西部數據(West
RISC-V設計在兼容的情況下能走多遠?
2023-06-23
RISC-V設計在兼容的情況下能走多遠? 答案并不總是黑白分明的，因為RISC-V的概念與以前的開源項目非常不同。但是，隨著對RISC-V的興趣和活動的持續增長，正在進行建設性的討論，以解決設計開放標準ISA的一些挑戰。 RISC-V國際的首席技術官Mark Himelstein說:“RISC-V標準是實現兼容的。“然而，我們通常不會使用‘兼
清華大學教授魏少軍：中國要重新理解半導體產業全球化，維護全球供應鏈完整性
2023-06-18
6月17日，由芯謀研究承辦的第二屆中國·南沙國際集成電路產業論壇（2023 IC NANSHA）在廣州南沙開幕。《每日經濟新聞》記者現場了解到，清華大學集成電路學院教授魏少軍出席論壇并發表了 “半導體產業的再全球化”主旨講話。 魏少軍提到，逆全球化思潮下，當前中國半導體產業面臨較嚴峻挑戰。他指出，過去十多年來，我們認為中國的芯片制造發展較快，但實際
等離子體形成的基本原理？
2023-06-18
等離子體形成的基本原理涉及到物質被加熱至足夠高溫度以使其電離，將電子從原子或分子中解離出來形成自由電子和帶正電的離子。以下是等離子體形成的主要步驟： 1. 加熱：物質被加熱到足夠高的溫度。高溫可以通過電擊、高能光或熱能等形式提供。 2. 離子化：高溫使物質的原子或分子獲得足夠的能量，引發電離現象。在這個過程中，束縛在原子或分子中的電子被解離出來，形成自由電子和帶正電的離子。 3. 電中性：在
N型SIC和P型SIC的歐姆接觸的基本原理？
2023-06-18
N型碳化硅和P型碳化硅的歐姆接觸的基本原理是通過合適的金屬材料與碳化硅材料之間的電子轉移來建立接觸電阻盡可能小的電氣連接。 對于N型碳化硅，其導電性主要由額外的自由電子貢獻。當金屬與N型碳化硅接觸時，金屬中的自由電子可以輕易地進入N型碳化硅中，形成電子注入，使碳化硅形成具有低電阻的接觸。 對于P型碳化硅，其導電性主要由空穴貢獻。當金屬與P型碳化硅接觸時，金屬中的自由電子與P型碳化硅
單極型功率二極管和雙極型功率二極管差異？
2023-06-18
單極型功率二極管和雙極型功率二極管之間的主要差異 在于其不同的結構和工作原理 主要應用方面，單極型功率二極管通常用于開關電源、逆變器等高頻應用中，而雙極型功率二極管則主要用于電力電子應用中的整流、驅動和保護電路等。 在器件的優值系數方面，單極型功率二極管通常具有較低的開通電壓降和較快的開關速度，適用于高頻應用。雙極型功率二極管則往往具有較高的反向耐壓和較大的電流承受能力，適用于大功率應用
太陽能逆變器的快恢復二極管的用途？使用注意事項？
2023-06-18
快恢復二極管（Fast Recovery Diode，簡稱FRD）在太陽能逆變器中的主要作用是用于電流的反向導通和防止電壓反射。快恢復二極管的使用注意事項如下：1. 逆變器設計時需要選擇合適的快恢復二極管，確保其額定電流和電壓等參數符合逆變器的工作要求。2. 確保快恢復二極管正常的散熱條件，在高溫環境下需要進行合理的散熱措施，以防止過熱導致失效。3.&nbs
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