色窝窝无码一区二区三区成人网站,久久无码国产专区精品,欧美激情一区二区三区成人,亚洲欧美精品一中文字幕,欧美最猛黑人xxxx黑人猛交

Global
可持續發展
可持續發展
持續創新、引領行業進步是我們不屈的使命。
新聞&資源
新聞&資源
時刻與您分享我們的一點一滴
關于我們
關于我們
音特電子集技術研發、芯片制造、封裝測試、銷售和服務于一體
人才發展
人才發展
一同釋放潛力,塑造人類健康未來
新聞&資源
時刻與您分享我們的一點一滴
企業新聞 行業資訊 產品知識 資料下載
TVS瞬態抑制二極管的功率分類
來源:音特電子 發布日期:2023-06-13 瀏覽次數:2329次
分享:

根據不同的電壓等級和功率大小,TVS瞬態抑制二極管可以分為多種分類。以下是一些常見的分類方式:

1. 按照工作電壓等級分:可分為低壓(<1.5kV)、中壓(1.5-3kV)和高壓(>3kV)三類。
2. 按照額定功率分:可分為小功率(<5W)、中功率(5-30W)和大功率(>30W)三類。
3. 按照包裝類型分:可分為SMD、DO-214AB、DO-15等不同封裝形式。
4. 按照觸發電壓分:可分為單向和雙向兩種,其中雙向TVS二極管還可分為對稱和非對稱兩種。
5. 按照應用領域分:可分為消費電子、通信、汽車電子等不同應用場景。

以上分類方式僅為一種常見的分類方法,實際上還有其他的分類方法,如按照工作溫度范圍、反向漏電流等級等進行分類。分類的目的在于方便選擇和應用不同種類的tvs瞬態抑制二極管,以滿足不同的需求。

熱門新聞
ESD保護二極管的PN結結構如何影響其泄放能力?
2025-10-24
ESD保護二極管的PN 結結構(如平面型、溝槽型)如何影響其ESD泄放能力? 1.平面型 PN 結: PN結位于芯片表面,結面積易做大,可承受更大的ESD脈沖電流(如:HBM 15kV),但寄生電容較大(因結面積大),且表面易受污染物影響導致擊穿電壓不穩定,適用于低頻、大電流防護場景(如:電源VBUS) 1.1 平面型 PN 結是一種通過平面工藝(如光刻、擴散或離子注入)在半導體晶片表面形成
ESD保護二極管的雪崩擊穿與齊納擊穿在物理機制上差異?
2025-10-14
首先簡單理解的雪崩與齊納擊穿之間差異: 雪崩擊穿:高反向電壓使耗盡區中載流子獲得足夠能量,與晶格原子碰撞產生新的電子 - 空穴對(雪崩倍增),導致反向電流驟增;擊穿電壓隨溫度升高而升高(正溫度系數),適用于高電壓、大電流場景(如電源端防護) 齊納擊穿:低反向電壓使耗盡區中強電場直接將束縛電子拉出共價鍵(場致發射),反向電流驟增;擊穿電壓隨溫度升高而降低(負溫度系數)  
ESD靜電保護二極管與普通整流二極管有何本質區別
2025-10-12
一、芯片流片摻雜工藝:從 “材料結構” 決定器件特性差異   芯片摻雜工藝是二者最核心的底層差異,直接決定了器件的擊穿特性、芯片摻雜工藝是二者最核心的底層差異,直接決定了器件的擊穿特性、響應速度、導通能力等關鍵參數,本質是通過調整摻雜元素(如 P 型硼、N 型磷)的濃度、分布區域、結深 對比維度 ESD 靜電保護二極管 普通整流二極管(以