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ESD保護二極管的雪崩擊穿與齊納擊穿在物理機制上差異?
來源:音(yin)特電子 發布日(ri)期:2025-10-14 瀏(liu)覽(lan)次(ci)數:1700次(ci)
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1. 首先簡單(dan)理解的(de)雪崩與齊納擊穿之間差異:

  1.1 雪崩擊穿:高反向電壓使耗盡區中載流子獲得足夠能量,與晶格原子碰撞產生新的電子 - 空穴對(雪崩倍增),導致反向電流驟增;擊穿電壓隨溫度升高而升高(正溫度系數),適用于高電壓、大電流場景(如電源端防護)

  1.2 齊納擊穿:低反向電壓使耗盡區中強電場直接將束縛電子拉出共價鍵(場致發射),反向電流驟增;擊穿電壓隨溫度升高而降低(負溫度系數)

2. 擊(ji)穿機制

  2.1 ESD二極管(guan)芯片(pian)的內(nei)部(bu)結構中,雪崩擊穿是主流機制尤(you)其適用于(yu)高電(dian)壓(ya)、大電(dian)流的(de) ESD 防護場景;而(er)齊納(na)擊(ji)穿僅在(zai)特定低電(dian)壓(ya)需求下輔助使用。通過合理設(she)計 PN 結的(de)摻雜濃(nong)度(du)、結面(mian)積(ji)和工藝參數,可(ke)精準控(kong)制(zhi)擊(ji)穿類(lei)型,確保器件(jian)在(zai) ESD 事(shi)件(jian)中快速響應、高效泄(xie)放(fang)并保持可(ke)恢復(fu)性(xing)

  2.2 生在(zai)高摻雜濃度的(de) PN 結(jie),由于耗盡層極窄,強電場直接促使價帶電子通過量子隧穿效應躍遷到導帶,形成大反向電流。其特點包括:

  • 擊穿(chuan)電壓較低(通常 < 5V),且與溫度呈負相關(溫度升高,擊穿電壓略微降低)
  • 主要(yao)用于穩壓:傳統齊納二極管利用這一特性提供固定參考電壓,但在 ESD 保護中較少單獨使用

這里給大家解(jie)釋,為什么大家常說(shuo),低于5V的(de)ESD管,類似齊納(na)二極管


3. 結構設(she)計與工藝優化

 

   3.1 雪崩型 ESD 二(er)極管的關鍵設計
    • 深摻雜層:通過額外的 ESD 注入工藝(如深 N + 擴散),增加耗盡層寬度,提高雪崩擊穿電壓和抗熱能力。
    • 消除(chu)邊緣效應:采用圓角結構或硅化物阻擋層(SAB),避免電場集中,防止局部提前擊穿
    • 寄(ji)生 BJT 利用:在 MOS 型 ESD 器件(如 GGNMOS)中,雪崩擊穿觸發寄生 NPN 三極管導通,形成低阻通路,進一步提升泄放效率
       
      3.2 齊納型(xing) ESD 二極管的設計(ji)要點
      • 精確控制摻雜(za)濃度:通過離子注入優化 P 區和 N 區的雜質分布,確保擊穿電壓穩定在目標值(如 3.3V 或 5V)
      • 抑制寄(ji)生效應:采用小尺寸結構或多二極管串聯,降低寄生電容對信號的影響LOGO_副本 (2).png
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