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半導體基礎知識
來源:音特電子 發布日期:2023-11-09 瀏覽次數:2681次
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01

什么是半導體?

        “半導體”是一種特性介于“導體”和“絕緣體”之間的物質,前者像金屬一樣導電,后者幾乎不導電。電流流動的容易程度與物質電阻的大小有關。如果電阻高,電流很難流動;如果電阻低,電流容易流動。

02

半導體材料

        硅(Si)和鍺(Ge)是眾所周知的半導體材料。當它們是純晶體時,這些物質接近絕緣體(本征半導體),但是摻雜少量的摻雜劑就會導致電阻大幅度下降,變成導體。

        根據摻雜劑的種類,可以制成n型或p型半導體。

        由幾種元素制成的半導體稱為化合物半導體,它們與硅半導體等由單一元素制成的不同。具體組合有元素周期表第III組和第V組、第II組和第VI組、第IV組等。

03

n型半導體

        n型半導體是指以磷(P)、砷(As)或銻(Sb)作為雜質進行摻雜的本征半導體。第IV組的硅有四個價電子,第V組的磷有五個價電子。如果在純硅晶體中加入少量磷,磷的一個價電子就可以作為剩余電子自由移動(自由電子*)。當這個自由電子被吸引到“+”電極上并移動時,就產生了電流流動。

04

p型半導體

        p型半導體是指摻雜了硼(B)或銦(In)的本征半導體。第IV組的硅有四個價電子,第III組的硼有三個價電子。如果將少量硼摻雜到硅單晶中,在某個位置上的價電子將不足以使硅和硼鍵合,從而產生了缺少電子的空穴*。在這種狀態下施加電壓時,相鄰的電子移動到空穴中,使得電子所在的地方變成一個新的空穴,這些空穴看起來就像按順序移動到“–”電極一樣。

05

什么是化合物半導體?

圖片

        除了硅,還有結合了第III組和第V組元素以及第II組和第VI組元素的化合物半導體。例如,GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)、InGaAlP(磷化鋁鎵銦)等通常用于高頻器件和光學器件。
       近年來,InGaN(氮化銦鎵)作為藍光LED和激光二極管的材料引起了人們的廣泛關注,SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)作為功率半導體材料也得到了一定程度上的關注和商業化。

    典型的化合物半導體
第Ⅱ-Ⅵ組:ZnSe
第Ⅲ-Ⅴ組:GaAs,GaN,InP,InGaAlP,InGaN
第Ⅳ-Ⅳ組:SiC,SiGe

06

什么是pn結?

        p型和n型半導體之間的接觸面即稱為PN結。
       p型和n型半導體鍵合時,作為載流子的空穴和自由電子相互吸引、束縛并在邊界附近消失。由于在這個區域沒有載流子,所以它被稱為耗盡層,與絕緣體的狀態相同。
        在這種狀態下,將“+”極連接到p型區,將“-”極連接到n型區,并施加電壓使得電子從n型區順序流動到p型區。電子首先會與空穴結合而消失,但多余的電子會移動到“+”極,這樣就產生了電流流動。

07

半導體器件的類型

        使用半導體的電子部件稱為半導體器件。

        隨著應用領域的擴大和電子設備的發展,各種半導體器件得到了不斷開發。“分立半導體”是指具有單一功能的單個器件,比如晶體管和二極管。“集成電路(IC)”是指在一個芯片上安裝有多個功能元件的器件。典型IC包括存儲器、微處理器(MPU)和邏輯IC。LSI則提高了IC的集成度。按一般功能/結構,具體分類如下所示。

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